技术编号：2014600
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及耐高温、抗氧化介电陶瓷的制紐术，特别提供了一种低温制备耐高温、抗氧化的硅氮氧(Si2N20)陶瓷块体的方法。 背景技术硅氮氧(Si2N20)陶瓷是一种新型耐高温的三元材料。它具有密度低、强度 高、硬度高、抗氧化性能好、耐腐蚀、高温稳定性好、抗中子辐射、介电常謝氏 和介电损耗小等许多优良的性能。在航空、航天、核工业、超高温结构件等高新 技术领±或都有广泛的应用前景。尽管硅氮氧(Si2N20)陶瓷材料具有如此的优异 性能，但制备此陶瓷材料需對艮高的温...
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