技术编号:20164305
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种晶体生长用籽晶下置式装置,可用于具有升华-凝华类晶体的生长,属于晶体材料的生长用装备领域。背景技术升华-凝华类晶体生长的基本原理是将原料和籽晶分别放置在相对的高温区和低温区,生长过程中原料在高温区进行加热,固态的原料受热后变成气态,气态成分在载气、浓度扩散以及热扩散多重作用之下到达低温区,处于低温区位置的籽晶吸附气态成分完成凝华重结晶的过程。以常见碳化硅(sic)晶体的生长为例,实现sic晶体生长的核心装置是坩锅结构。通过外加的中频电流线圈的感应加热以及保温结构,在坩锅的两端形成相...
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