技术编号：20201960
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体的光刻工艺技术领域，尤其涉及一种预防静电损伤的光罩及预防光罩静电损伤的方法。背景技术在半导体生产工艺中，光罩是整个工艺流程中的一个重要组成部分，其具有价格高、唯一性、环境敏感度高等特性，对静电尤其敏感。具有不同静电电位的物体，由于静电感应会引起物体间的静电电荷转移，当静电场的能量达到一定程度后，会击穿其间介质而进行放电，从而造成静电损伤(electro-staticdischargedefect)。通常情况下，积聚的电荷会向附近低电位放电以释放能量，距离愈近愈容易释放。假设e为电...
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