技术编号：20209035
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开总体地涉及存储器器件，并且更特别地，涉及诸如相变存储器器件之类的阻性存储器器件。背景技术存储器通常的形式是阵列，其包括字线和位线，即行和列。包含二进制信息的存储器单元位于行与列的每个交叉处。在相变存储器单元中，例如，每个存储器单元包括相变材料层，相变材料层与阻性元件接触。相变材料是可以在晶相和非晶相之间转变的材料。这样的转变由阻性元件的温度上升引起，电流传导通过该阻性元件。材料的晶相和非晶相之间的电阻差异被用于定义至少两种存储器状态，任选地0和1。包含在相变存储器单元中的数据例如通过测量存...
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