技术编号:20282090
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及外延生长的技术领域,具体而言,涉及一种维持反应腔良性环境的方法。背景技术algan基材料具有连续可调的直接带隙、电子迁移率高、击穿电场强、抗辐射能力强、耐高温等优点,在紫外光电子器件、电力电子器件和射频电子器件方面有着广阔的应用前景。由于缺乏大尺寸的商用同质衬底,当前最理想的解决方案是采用生长于异质衬底(例如蓝宝石、sic衬底、si衬底等)上的aln外延层作为模板。而外延层与衬底之间存在着较大的晶格失配与热失配,所以一般采用两步或者多步生长技术进行制备,即成核层(缓冲层)加高温层的生长...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。