技术编号:20374104
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种基于pvd技术制备局部多晶硅薄膜钝化接触的方法。背景技术在晶体硅太阳电池中,随着市场对高效电池的需求急剧增加,在电池效率提升过程中,减少金属复合是电池效率不断提升的重要因素。为减少金属复合,近年来钝化接触电池受到广泛关注,德国fraunhofer太阳能系统研究所的feldmann等将基于隧穿氧化层钝化金属接触结构的太阳能电池的转换效率提升至25.8%;其结构采用在隧穿氧化层上沉积多晶硅薄膜,后续在金属化过程,减少了金属与衬底硅的直接接触,可大大减少金属复...
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