技术编号:20451961
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。相关申请的交叉引用此申请案主张美国专利申请案序列号15/668,517的权益(所述专利申请案于2017年8月3日提出申请),所述专利申请案的内容在此通过引用的方式全体地并入本文中。发明背景通过在位于处理腔室中的一或多个基板上建构半导体装置来制造集成电路。半导体装置互相连接以形成集成电路(ic)。半导体晶片可具有一个、或许多个,或几个ic。通过涉及到在基板上沉积、图案化,及去除材料的程序在基板(例如,硅晶片)上制造半导体装置。沉积工艺(例如,化学气相沉积(cvd)或物理气相沉积(pvd))可被使用...
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