技术编号：20472002
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及功率器件领域；更具体地讲，是涉及一种功率器件的封装结构。背景技术例如igbt(绝缘栅双极型晶体管)、mosfet(金属-氧化物半导体场效应晶体管)等的功率器件工作时会产生大量热量，如果不能及时将功率器件所产生的热量散发，将严重影响功率器件及其周边电路元件的工作。中国专利文献cn108133915a公开了一种功率器件内置且双面散热的功率模组，其中，功率器件封装在层叠设置且通过热压工艺制备的绝缘封装基板内，封装基板内还具有分别设置在功率器件相对两侧并与其热连接的两个陶瓷散热体，封装基板...
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