技术编号:20571253
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种高均匀性导电硅靶材制备工艺。背景技术目前热喷涂工艺生产靶材,对原材料的预处理分为机械混合工艺,和熔铸掺杂工艺,采用机械混合的方式,会存在掺杂量不均匀,掺杂物喷涂过程中损失多等问题,熔铸掺杂工艺则流程复杂,成本高,且粉末同样存在成分不均匀的问题。发明内容本发明的目的在于克服上述不足,提供一种高均匀性导电硅靶材制备工艺,其有效的提高了靶材的质量,且降低了成本。本发明的目的是这样实现的:一种高均匀性导电硅靶材制备工艺,其特征在于:所述工艺步骤为:步骤一:备料:按照硼浓度含量为20~200...
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