技术编号：20571301
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明构思涉及光学邻近校正方法和/或使用其制造极紫外(euv)掩模的方法，更具体地，涉及表现出改善的可靠性的光学邻近校正(opc)方法和/或使用其制造光刻掩模的方法。背景技术半导体芯片的制造工艺当中的光刻工艺是通过将光照射到涂覆在衬底上的光敏层上来形成电路图案的技术。最近，由于半导体制造工艺中更精细尺寸特征的趋势，使用深紫外(duv)光线、euv光线或电子束的曝光方法引起了关注。由于图案具有更精细的尺寸，因此在曝光工艺中由于相邻图案之间的影响而发生光学邻近效应(ope)。为了解决这种ope，正在...
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