技术编号：20606657
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种关于在硅半导体基板上形成硅外延层而获得外延晶片的方法。背景技术一直以来，作为用于硅半导体基板等半导体基板的制造步骤的基板处理装置，已知cvd(chemicalvapourdeposition)装置等。作为硅半导体基板的外延处理的一例，开发出一种在硅半导体基板的正面，使由单晶硅构成的外延层气相生长的方法。作为该制造方法，将基板水平配置于收纳于外延生长用反应炉的基座上，然后，使基座以垂直的旋转轴为中心进行旋转的同时，借由卤素灯等热源将基板进行高温加热(1000℃～1200℃)，并流通硅...
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