技术编号：20614482
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件技术领域，更为具体地说，涉及一种半导体器件及其制作方法和电子设备。背景技术随着光刻特征尺寸的不断减小，对光刻机的套刻精度与临界尺寸均匀性的要求也不断提高。半导体器件的制造通常包括几十道光刻工序，为了确保各个层次的对应关系，必须要求与光刻特征尺寸相匹配的套刻精度。曝光图形与实际位置的差异，即图形位置偏移量，是影响光刻机套刻精度的重要因素，也是影响器件的重要因子。现有的半导体器件在制作过程中，套刻偏差的测量精度较差。发明内容有鉴于此，本发明提供了一种半导体器件及其制作方法和电子设...
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