技术编号:20761629
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开主张2018年11月07日申请的美国正式申请案第16/183,374号的优先权及益处,该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。本公开关于一种半导体元件及其形成方法,特别涉及一种包括侧壁间隔件的半导体元件。背景技术近年来,dram芯片的存储胞的密度及数量已急剧增加。基板上的dram芯片的区域由紧密间隔的存储胞阵列组成,其具有沿dram芯片外围的地址和读/写电路。各个dram胞(存储胞)由单个存取晶体管(通常为场效应晶体管(fieldeffecttransistor,fet))和存储...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。