技术编号：20773330
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在本说明书中公开的技术涉及半导体装置。背景技术日本特开平10-27900号公报公开了平面栅极型的半导体装置。该半导体装置具备：半导体基板；覆盖半导体基板的上表面的一部分的绝缘膜；设置于绝缘膜的内部，隔着绝缘膜而与半导体基板的上表面对向的栅电极；与半导体基板的上表面的另一部分相接的上表面电极；与半导体基板的下表面相接的下表面电极。半导体基板具备：在上表面与上表面电极相接的n型的第一半导体区域(源极区域或发射极区域)；位于第一半导体区域的周围，并在上表面隔着绝缘膜而与栅电极对向的p型的体层(也称为基...
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