技术编号:20834965
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。交叉引用本申请要求于2018年11月15日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.10-2018-0141130的权益,其公开内容通过引用整体并入本文。本发明构思涉及一种存储器控制器,更具体地,涉及一种能够确定耐久性降低的存储器控制器、包括该存储器控制器的存储器系统、以及操作该存储器控制器的方法。背景技术作为非易失性存储器器件,除了闪存之外,诸如相变随机存取存储器(pram)、纳米浮栅存储器(nfgm)、聚合物ram(poram)、磁ram(mram)、铁电ram(feram),电阻ram(rr...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。