技术编号:20877740
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种页缓冲电路,特别涉及一种可以通过电子方式重复写入的非易失性存储装置(例如快闪存储器)与包括页缓冲电路的非易失性存储装置。背景技术已知的与非型(nand-type)非易失性半导体存储器装置具有多个存储器胞晶体管(以下称为存储器胞)。这些存储器胞串联连接在位线与源极线之间以构成与非串(nandstring),并具备高整合度(例如,日本专利特开9-147582号公报)。图1是依据已知技术的与非型快闪eeprom的整体结构的方块图。此外,图2是图1的存储器胞阵列10及其周边电路的电路图。在...
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