技术编号：20890544
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。【技术领域】本实用新型属于电子工程技术领域，具体涉及一种表面活化过程中高速氩原子束获得装置。【背景技术】由于对高速、高温和大功率半导体器件需求的不断增长，使得半导体业重新考虑半导体所用设计和材料。应用领域的扩展和军事需求的增加是驱动氮化镓半导体器件市场增长的主要力量。需求量的增加主要是由于氮化镓器件所能带来的在器件重量和尺寸方面的显著改进。另外，氮化镓器件击穿电压的提升有望推动氮化镓在电动车辆中的使用量。但是，随着输出功率与频率的提高，gan器件产生的热量越来越多，可能影响电子器件的输出功率、频...
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