技术编号：20937721
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种晶体管与其工艺方法，尤其涉及一种具有自我对准的三端的晶体管与其工艺方法。背景技术最常使用的一晶体管是形成于平面的一硅晶圆上的一金属氧化物半导体场效晶体管，其中所述晶体管的栅极是形成在所述硅晶圆的表面上，且由较薄的电介质如二氧化硅或高介电材料(high-kmaterial)分开。所述晶体管的另外两端，也就是漏极与源极，是形成在所述硅晶圆的表面下方。而当所述晶体管的尺寸需要缩小时，可以利用一鳍式结构晶体管(例如一鳍式场效应晶体管(finfet)、一三栅极晶体管(tri-gatefet)...
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