技术编号：21279810
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及石英玻璃坩埚，特别是涉及在基于提拉法(czochralski法)(cz法)的单晶硅的提拉中使用的石英玻璃坩埚。背景技术在基于cz法的单晶硅的制造中，使用石英玻璃坩埚(二氧化硅玻璃坩埚)。在cz法中，在石英玻璃坩埚内加热多晶硅原料以生成硅熔液，将籽晶(晶种)浸渍在硅熔液中，边使坩埚旋转边缓慢提拉籽晶，由此使较籽晶大的单晶生长。根据cz法，可以培育大口径的单晶，可以提高单晶硅的量产性。关于石英玻璃坩埚，例如专利文献1中记载着下述的石英玻璃坩埚：合成石英玻璃内面层的最大层厚为角部的最大壁厚的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。