技术编号：21280558
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种柱状半导体装置、及其制造方法。背景技术近年来，典型的柱状半导体装置的sgt(surroundinggatetransistor，环绕栅晶体管)作为用于提供高度集成的半导体装置的半导体元件而受到关注。而且，还殷切盼望具有sgt的半导体存储装置的进一步的高度集成化及高性能化。在普通的平面mos晶体管中，沟道(channel)以沿着半导体基板的上表面的水平方向的方式存在。相对于此，sgt的沟道以沿着垂直于半导体基板的上表面的方向的方式存在(例如，参照非专利文献1)。因此，与平面型mos晶...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。