技术编号:21313799
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及深紫外发光二极管技术领域,尤其涉及一种用于紫外led的aln缓冲层结构及其制作方法。背景技术紫外发光二极管根据波长可分为uvaled(315-400nm)、uvbled(280-315nm)和uvcled(200-280nm),其中uvcled属于深紫外led。深紫外led以iii-v族宽禁带化合物半导体algan作为发光材料,不含汞材料,具有小巧便携、环保安全、波长连续可调、易于设计等优点,近几年来在杀菌消毒领域备受关注。随着2020年《水俣公约》的生效以及新型冠状病毒引起人们对公共...
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