技术编号:21313835
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的制作技术领域,尤其涉及一种sonos器件的制作方法。背景技术sonos(silicon-oxide-nitride-oxide-silicon,硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅,又称硅氧化氮氧化硅)闪存具有单元尺寸小、存储保持性好、操作电压低、与cmos工艺兼容等特点。现有的sonos闪存的结构通常包括选择管(sg,selectgate)和存储管(cg,controlgate)两个器件,其存储管所在的区域为sonos区域(即cg区),选择管所在的区域为非sonos区域(即sg...
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