技术编号：21359095
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电力电子技术领域，特别涉及采用宽禁带器件与硅基器件的电流纹波补偿电路及方法。背景技术随着电力电子不断向着高频化，大功率方向发展，硅基半导体器件已经达到了材料自身特性的理论极限，传统的硅基器件的性能不能满足于电力电子行业的需求，严重限制了电力电子行业的发展。以碳化硅(sic)和氮化镓(gan)为代表第三代宽禁带半导体在上个世纪90年代在制造工艺上有所突破，至今制造技术也愈发成熟。如今，以碳化硅和氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体已经成为电力电子行业最为关注的开关器件。但在新型开关器件带来诸...
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