技术编号:21386727
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及支撑件和用于制造晶片的装置。背景技术半导体器件通常在硅晶片中制造。然而,至少部分地由于sic的化学物理性质,碳化硅(sic)晶片已经变得越来越流行。例如,sic通常具有比硅更高的带隙。结果,即使相对薄的厚度,sic也比硅具有更高的击穿电压。因此,sic对于具有高电压的应用,例如电力应用是期望的。sic可能以多种不同的晶体结构或多型形式出现。最常见的多型是立方多型(3c多型),六边形多型(4h和6h多型)和菱形多型(15r多型)。3csic晶片与其他晶片多型相比具有独特的性能。例如,与4...
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