技术编号:21523484
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体功率器件技术领域,具体为一种基于双向可控硅原理的集成式双向可编程过压保护器件,用于保护通讯设备语音处理芯片(slicic)免受过压损坏。背景技术半导体过压保护器件,作为防止浪涌过压的重要元器件,种类较多,包括tvs器件,固定电压放电管器件,静电保护器件,可编程过压保护器件等等。随着5g通讯时代即将到来,微通讯基站设备将越来越多,人们对通讯系统可靠性要求越来越高。通讯系统中语音处理芯片是较为敏感的ic,易遭受电网过压或雷电等因素而损毁,一旦损坏将导通通讯故障,造成信息中断,设备...
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