技术编号:21538449
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及显示设备技术领域,特别涉及一种经过粗化的algaas基led的制备方法及led。背景技术与gaas衬底晶格匹配的algaas基材料是一种直接带隙半导体,其通过调整al和ga的比例,使禁带宽度可在1.9ev至2.3ev之间变化,algaas基led的波长范围可以覆盖550nm-650nm。因此,algaas基材料已广泛应用于红光、橙光、黄绿光led的制造中。由于algaas基材料的折射率n高达3.0至3.5,远高于环氧树脂、硅胶(n≈1.5)等led常规封装材料。根据光的全反射定律可知,...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。