技术编号：21547646
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及石墨烯压力传感器技术领域，特别涉及一种悬浮式石墨烯薄膜结构的制备方法。背景技术石墨烯薄膜具有高强度、2d属性、高子迁移率，且对压力敏感、对气体具有不可穿透性等一系列的优点；另外，与传统的硅膜结构相比，1tpa的杨氏模量和0.335nm超薄的厚度赋予了石墨烯薄膜极致的力学性能。优异的电学和力学性能使得石墨烯薄膜可以应用在制造高灵敏度的悬浮式石墨烯微压传感器中。目前，制造悬浮式石墨烯微压传感器关键技术之一是将石墨烯薄膜完整的覆盖在基底结构的空腔上并将其图形化为合适的形状，但是纳米级别厚度的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。