技术编号:2162
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于半导体功率元件的制造,特别是关于,其中环形槽是靠机械方法磨削在半导体薄片上的。在半导体功率元件的制造工艺中,设环形槽作为具高阻断能力的对称闸流晶体管的半导体薄片边缘轮廓的作法是长时间所周知的事了。为了在大量生产中开这类槽,迄今提出了各种各样的方法。因此,举例说,从西德专利DE-AS1,439,215中可以知道用适当的酸或喷砂法在半导体薄片上刻蚀或磨削沟槽的作法。在该同一个专利公布中指出了这样一点,即无需更多的细节措施,也可采用砂轮之类的纯机械方法开这类槽。西德公开专利1,764,326更详细介绍了这类机...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。