技术编号:21626384
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种存储器及其形成方法。背景技术存储器,例如动态随机存储器(dynamicrandomaccessmemory,dram),其通常包括存储电容器以及电性连接所述存储电容器的存储晶体管,所述存储电容器用于存储代表存储信息的电荷,以及所述存储晶体管可通过一节点接触部电性连接所述存储电容器。基于现有的存储器而言,为了保证位线和节点接触部之间具有较好的隔离性能,则通常需要确保位线和节点接触部之间的隔离侧墙的完整性,避免隔离侧墙受到损伤。而正是考虑到隔离侧墙的品质,因此在...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。