技术编号:21627723
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及包括具有mos结构的半导体元件的半导体器件。本公开可以优选地应用到特别是以碳化硅(在下文中也称为sic)作为半导体材料的sic半导体器件。背景技术已经提出了包括具有mos结构的半导体元件的半导体器件。例如,具有mos结构的半导体元件包括mosfet,mosfet具有沟槽栅极结构,该沟槽栅极结构作为在其中沟道密度被设置很高使得大电流能够流动的结构。这种mosfet具有一种结构,其中,在形成于n+型衬底上的n型漂移层上相继形成p型基区和n型源区。在该结构中,形成多个沟槽栅极以便使p型基区从...
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