技术编号:21651437
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种mo-s-c-n纳米复合薄膜的制备方法,尤其涉及一种采用磁控溅射技术制备mo-s-c-n自组装多层薄膜的方法,属于复合材料技术领域和真空镀膜技术领域。背景技术二硫化钼(molybdenumdisulphide,mos2)薄膜是一种层状六方晶体材料,层间弱相互作用的范德华力赋予了它优异的真空摩擦学性能。然而纯mos2对环境湿度十分敏感,水分子的大量存在使得它的摩擦学性能大幅退化,严重限制了其在大气环境下的应用。构筑多层结构是改善mos2基薄膜环境适应性的一种有效方法。多层结构可以阻止...
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