技术编号：21716946
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及陶瓷材料领域，特别是涉及一种金刚石增强碳化硅基板及其制备方法和电子产品。背景技术高导热电子封装基板材料的综合性能是制约微电子行业集成化的关键因素。近年来，随着微电子行业朝着小型化、大功率、高集成度的方向发展，对封装基板材料的性能提出了更高的要求。金刚石/碳化硅作为第三代电子封装材料，因其具有高热导率、高硬度和低热膨胀系数等优异性质而得到了广泛的研究。目前，金刚石/碳化硅复合材料的制备多采用热等静压(hip)、高温高压烧结(hihp)等方法，但上述方法难以制备厚度较薄的大尺寸产品，且制备...
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