技术编号：21733549
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。相关申请的交叉引用本申请要求2017年12月19日提交的美国正式申请no.15/847,411的优先权，其全部内容以所有目的通过引用结合于此。本技术涉及制造半导体的部件与设备。更具体而言，本技术涉及气体分配组件与操作方法。背景技术通过在基板表面上产生具有错综复杂的图案的材料层的工艺，而使集成电路的制造成为可能。在基板上产生图案化材料，需要用于形成与移除材料的受控方法。用于激励反应物的等离子体的均匀度可直接影响最终产品。远程等离子体中的等离子体均匀度波动可造成基板边缘附近相对于中心的区域具有高蚀刻...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。