技术编号:21734384
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及压电性材料基板与支撑基板的接合体、弹性波元件及其制造方法。背景技术为了实现高性能的半导体元件,广泛使用了由高电阻si/sio2薄膜/si薄膜构成的soi基板。在实现soi基板时,使用了等离子体活化。其原因在于,能够在较低的温度(400℃)下进行接合。为了提高压电器件的特性,提出了类似的由si/sio2薄膜/压电薄膜构成的复合基板(专利文献1)。在专利文献1中,通过离子注入法进行活化后,将由铌酸锂、钽酸锂形成的压电性材料基板和设置有氧化硅层的硅基板接合。还提出了一种多层结构的过滤器,其在...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。