技术编号:21741254
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体材料领域,尤其涉及一种长在900-950nm的半导体激光器有源区ingaas/algaas单量子阱以及多量子阱外延结构。背景技术半导体激光器具有波长范围宽、制作简单、成本低、易于大量生产、寿命长等优点。由于它的高效率、高可靠性和小型化的优点,半导体二极管激光器在光通信、光存储、光互联、激光打印以及激光雷达测距等方面得到了广泛的应用。对于波长在900-950nm波段,传统的半导体激光器有源区采用的ingaas/gaas多量子阱结构中的gaas势垒较低,不能很好的把载流子限制在量子阱...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。