技术编号:21805922
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体功率器件领域,具体涉及一种降低高压互连影响的横向器件及其制备方法。背景技术随着功率半导体器件在电力设备和控制电路等领域取得了巨大的发展,未来对功率半导体器件的需求会越来越大。功率集成电路的优点就是高、低压器件单片集成,但是也对电路设计带来了严峻的挑战。目前器件设计的样式大部分为跑道型,主要分为两部分区域:高压互连区和非高压互连区,其中高压互连区指的是高压互连线(highvoltageinterconnection,简称hvi)下方的区域结构。当高压互连线跨过横向双扩散金属氧化物半...
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