技术编号:21943659
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开总体涉及蚀刻氧化的金属膜的方法。特别地,本公开涉及用于蚀刻氧化的金属膜的提供较少蚀刻残留物的工艺。背景技术半导体工业正在快速地开发具有越来越小的晶体管尺寸的芯片以达成每单位面积更多的功能。随着器件的尺寸不断地缩小,在器件之间的间隙/空间也在不断地缩小,从而提高使器件彼此物理地隔离的难度。创建高深宽比结构是器件图案化领域的挑战之一。在逻辑和存储器中的许多结构都受益于高深宽比。创建高深宽比结构的若干方法利用钨的通过氧化的体积膨胀来产生在其周围可沉积其他材料的材料柱。这些含钨柱在之后被去除以提供...
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