技术编号:22030639
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于化学气相沉积技术领域,具体涉及一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积装置。背景技术近年来在半导体电子工业中,sic(碳化硅)引起了人们极大的兴趣,其是在一些极端条件下应用的半导体器件的比较好的候选材料,如高温和辐射环境、高功率的应用、高热功率消散等。sic陶瓷材料具有许多优异的物理化学性能,如高比强度、高比模量、低密度、高硬度、高热导率、低热膨胀系数、耐腐蚀、抗氧化等,因而在高温结构材料中备受青睐。sic陶瓷的制备方法有多种,如无压烧结法、反应烧结法、热压及热等静压法、化学气相沉积法(c...
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