技术编号:22040775
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及晶体生长技术领域,更具体地说,涉及一种氮化镓单晶生长装置及生长方法。背景技术氮化镓(gan)具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等性能,使其在光电子器件、电力电子、射频微波器件、激光器和探测器等方面展现出巨大的应用潜力。用于制造gan单晶的方法有hvpe(氢化物气相外延)法、钠熔融法、氨热法等,氨热法生长gan单晶具有晶体缺陷密度低(质量高)、高产出、晶体可以全方位生长的特点,与水热法生长人工水晶原理相似,氨热法更具备高品质gan单晶的工业化生产前景。与...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。