技术编号:22040827
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及坩埚加工领域,具体涉及一种致密石英坩埚高纯涂层的制备方法。背景技术光伏行业中,单晶硅和多晶硅产品的竞争较为激烈,而多晶硅技术较单晶硅技术略有欠缺。随着需求的增加,目前硅片尺寸逐渐增大至166mm,甚至达到了210mm,大尺寸硅片的生产对阻隔金属杂质侵入的高纯涂层有了更高的要求。现有技术中,为了阻隔金属杂质的侵入,在坩埚内表面对应硅液线以下区域会涂刷一层高纯石英涂层,这样可以对降低金属杂质的引入有一定的帮助,但是由于硅片尺寸变大,硅锭截取边皮变少,在实际使用过程中,金属杂质引入的风险明显...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。