技术编号：22202722
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体制备技术领域，具体涉及gasb单晶生长前用于浮渣过滤的装置和gasb单晶生长装置。背景技术gasb单晶是制备长波长光纤通信器件、红外探测器和热光伏器件的重要材料，其主要生产方法有垂直梯度凝固法，简称vgf，使用vgf法生长的gasb单晶外形均匀、位错密度低。gasb材料极易被氧化，在单晶生长前的装料过程中不可避免的会与空气接触，从而导致gasb原料表面被氧化生成一层ga2o3薄膜。在单晶生长时，ga2o3会以浮渣形式存在于gasb熔体中，导致gasb异质成核而生长成为孪晶。为...
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