技术编号：22225576
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。[相关申请案]本申请案享有以日本专利申请案2019-42353号(申请日：2019年3月8日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。本发明的实施方式涉及一种存储装置。背景技术作为大容量非易失性存储装置，有交叉点型双端子存储装置。交叉点型双端子存储装置容易实现存储单元的微细化、高集成化。作为双端子存储装置，例如有磁阻式存储器(magnetoresistiverandomaccessmemory：mram)、阻变式存储器(resistiverandomacce...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。