技术编号：22228506
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请属于测量分析技术领域，具体地，涉及一种高压气体采样试验装置及采样试验方法。背景技术极紫外光刻技术(euvl)用于获得7nm及以下光刻节点技术，极紫外光刻机采用波长为13.5nm的极紫外光(euv)，由于空气及几乎所有的折射光学材料对euv13.5nm具有强烈的吸收作用，因此极紫外光刻机的光学系统、硅片台和掩模台必须在真空环境中。任何固体材料置于真空环境下都会放气，同时euv曝光过程中与抗蚀剂作用会产生大量的污染气体。而euvl光学系统中的反射镜对污染物非常敏感，稍有污染即造成其反射率下降，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。