技术编号:22318438
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于功率半导体技术领域,具体涉及一种sic沟槽栅功率mosfet器件及其制备方法。背景技术碳化硅(siliconcarbide,化学式sic)沟槽栅功率金属氧化物半导体场效应管(metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor,简称mosfet)凭借sic材料出色的性能,相比传统的硅基功率mosfet具有更小的导通电阻,更高的工作温度和更强的抗辐射能力。另外功率mosfet属于单极型器件,没有少数载流子注入,相比于双极型器件——绝缘栅双极型晶体管(i...
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