技术编号:22359356
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种gaas/ingap双结表面等离子体增强太阳能结构,属于太阳能电池领域。背景技术随着节能减排运动的兴起,作为转化效率最高的gaas太阳能电池的应用越来越广泛。目前,双结太阳能电池外延结构主要为两个子电池组成,两个子电池因禁带不同,分别吸收不同波段的太阳光。在上面的ingap子电池,禁带宽度1.8ev,会吸收650nm以下的光产生电能;透过的650-900nm的光由gaas子电池吸收,gaas禁带宽度1.4ev。此结构可有效转化各波段光能,但ingap吸收效率有限,未吸收的光会被底层...
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