技术编号：22393217
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及一种处理装置和处理方法。背景技术已知如下一种技术：在通过ald法进行氮化膜的成膜时，在各循环中，在吸附成膜原料的步骤与使该成膜原料氮化的步骤之间进行在处理容器内生成氢自由基来进行氢自由基吹扫的步骤(例如参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2018-11009号公报发明内容发明要解决的问题本公开提供一种能够增加基板处理区域中的氢自由基的量的技术。用于解决问题的方案基于本公开的一个方式的处理装置具备：处理容器，其收容基板；等离子体生成机构，其具有与所述处理容器内连通的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。