技术编号:22400673
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。相关申请的交叉引用本申请要求于2019年3月20日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请no.10-2019-0031649的优先权,其公开内容通过整体引用并入本文中。本文中描述的本发明构思的示例实施例涉及半导体存储器,更具体地,涉及开放通道存储设备的操作方法。背景技术半导体存储器设备被分类为易失性存储器设备(例如,静态随机存取存储器(sram)或动态随机存取存储器(dram))或非易失性存储器设备(例如,闪存设备、相变ram(pram)、磁ram(mram)、电阻ram(rram)或铁电ram(f...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
请注意,此类技术没有源代码,用于学习研究技术思路。