技术编号:22467936
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电力电子技术领域,尤其是涉及一种igbt的直通检测、保护方法及装置。背景技术绝缘栅双极型晶体管(insulatedgatebipolartransistor,igbt)是由金属-氧化物-半导体(metaloxidesemiconductor,mos)管和双极型晶体管(bipolarjunctiontransistor,bjt)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,其兼有mos管高输入阻抗和电力晶体管(gianttransistor,gtr)低导通压降两方面的优点,凭借上述优点,ig...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。