技术编号：22467936
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电力电子技术领域，尤其是涉及一种igbt的直通检测、保护方法及装置。背景技术绝缘栅双极型晶体管(insulatedgatebipolartransistor，igbt)是由金属-氧化物-半导体(metaloxidesemiconductor，mos)管和双极型晶体管(bipolarjunctiontransistor，bjt)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，其兼有mos管高输入阻抗和电力晶体管(gianttransistor，gtr)低导通压降两方面的优点，凭借上述优点，ig...
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