技术编号:22513178
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体制备领域,特别涉及一种直拉单晶炉底部用保温装置及直拉单晶炉。背景技术直拉法,简称cz法,是1918年由切克劳斯基建立起来的一种晶体生长方法。目前已经成为单晶生长的主要方法之一,用于硅、锗、锑化铟等半导体材料,以及氧化物和其他绝缘类型的大晶体的制备。而采用直拉法生长低位错单晶或者半导体级单晶时,获得极小温度梯度热场是大部分晶体生长的必要措施。获得小温度梯度热场,主要包括加热器的设计,以及热场保温装置的设计。系统保温应用的主要材料为石墨碳毡,一般情况下通过在单晶炉内的坩埚外包裹一...
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