技术编号:22551330
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体集成电路制造方法,特别是涉及一种湿法刻蚀方法。背景技术在集成电路芯片的制造过程中,湿法刻蚀是很重要的制造技术之一。在湿法刻蚀的设备中,常见的一种是把整个批次(lot)或多个lot的硅晶圆即硅片同时浸没入湿法刻蚀槽中。使得刻蚀槽中的化学溶液和硅片表面发生反应,进行湿法刻蚀。此时,湿法刻蚀槽内的化学溶液遵循一定的流向规律进行刻蚀槽内外的循环。由于刻蚀槽内的化学溶液温度和浓度都受到精确的管控,此时优化湿法刻蚀槽内的化学溶液流向对于硅片面内的刻蚀速率以及硅片面内表面的粗糙度会产生影响...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。